neutron transmutation doping 中子转变掺杂 ; 中子迁变掺杂
neutron transmutation doping wafer 参杂中子变嬗变晶圆
neutron transmutation doping silicon 中子嬗变掺杂硅
neutron transmutation doping cz silicon 中子嬗变掺杂直拉硅
The technique of high precision trace neutron transmutation doping of detector grade high resistance zone-refined Si mono-crystal is introduced.
主要介绍探测器级特高阻区熔硅单晶的高精度微量中子嬗变掺杂技术。
These n-type dopant concentrations can be achieved using neutron transmutation doping (NTD) techniques.
这些n型搀杂浓度能使用中子嬗变搀杂(ntd)技术来取得。
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